垂直型邏輯器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111203303.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113948398A | 公開（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113948398A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-18 |
| 分類號(hào) | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉金營(yíng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海積塔半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧炳瓊 |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種垂直型邏輯器件及其制備方法。器件包括半導(dǎo)體基底、第一電極、溝道層、第二電極、柵極結(jié)構(gòu)、絕緣材料層及補(bǔ)充電極材料層；第一電極、溝道層及第二電極均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且在半導(dǎo)體基底上依次堆疊形成第一開孔；柵極結(jié)構(gòu)繞設(shè)于溝道層的周向上，由內(nèi)至外依次包括柵氧化層、柵介質(zhì)層及功函數(shù)金屬層；補(bǔ)充電極材料層填充于第二電極內(nèi)側(cè)，且與第二電極鄰接；絕緣材料層填充于第一開孔內(nèi)的剩余空間以及半導(dǎo)體基底和柵極結(jié)構(gòu)之間的空間，且覆蓋補(bǔ)充電極材料層，其中，第一電極為源極且第二電極為漏極，或第一電極為漏極且第二電極為源極。本發(fā)明形成類似圓筒狀結(jié)構(gòu)，借助環(huán)柵結(jié)構(gòu)可以提高對(duì)溝道的控制，降低器件關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的漏電。 |
