垂直型二維溝道邏輯器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111203319.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113948399A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113948399A 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉金營(yíng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直型二維溝道邏輯器件及其制備方法。器件包括半導(dǎo)體基底、第一電極、二維溝道材料層、第二電極、柵極結(jié)構(gòu)、絕緣材料層及補(bǔ)充電極材料層；第一電極、二維溝道材料層及第二電極均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，依次堆疊形成開(kāi)孔；柵極結(jié)構(gòu)繞設(shè)于二維溝道材料層的周向上，由內(nèi)至外依次包括柵氧化層、柵介質(zhì)層及功函數(shù)金屬層；補(bǔ)充電極材料層填充于第二電極內(nèi)側(cè)，且與第二電極鄰接；絕緣材料層填充于開(kāi)孔內(nèi)的剩余空間以及半導(dǎo)體基底和柵極結(jié)構(gòu)之間的空間，且覆蓋補(bǔ)充電極材料層，其中，第一電極為源極且第二電極為漏極，或第一電極為漏極且第二電極為源極。本發(fā)明有助于降低表面載流子散射和柵界面態(tài)，提高對(duì)溝道的控制，降低器件關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的漏電。