二維溝道器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111203318.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113937001A 公開（公告）日 2022-01-14
申請公布號 CN113937001A 申請公布日 2022-01-14
分類號 H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/24（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉金營 申請（專利權）人 上海積塔半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種二維溝道器件及其制備方法。器件包括半導體基底、二維溝道材料層和柵極結構，半導體基底內形成有源極、漏極和溝道區(qū)，二維溝道材料層位于源極、漏極和溝道區(qū)的表面，溝道區(qū)內填充有絕緣材料層，柵極結構位于溝道區(qū)的上表面，柵極結構的橫向尺寸小于源極及漏極之間的間距，柵極結構自下而上包括柵氧化層、柵介質層和功函數(shù)金屬層。本發(fā)明采用二維材料層作為器件溝道，利用二維材料具有較高的電子遷移率，其本征表面無懸掛鍵等特點，可降低表面載流子散射和柵界面態(tài)，從而使器件尺寸進一步縮小的同時提高器件性能。且制備過程中，器件溝道下的絕緣材料層通過掏空半導體材料層再回填氧化硅等絕緣材料的方式形成，可減少漏電的可能。