SICMOSFET器件的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111336567.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114038757A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114038757A 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季益靜;吳賢勇;劉峰松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種SIC MOSFET器件的制備方法，包括步驟：提供SIC基底，于SIC基底上形成若干間隔設(shè)置的第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)、第一導(dǎo)電類型的第一有源區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第二有源區(qū)；于位于阱區(qū)之間的基底表面或基底內(nèi)形成柵氧化層、柵導(dǎo)電層，形成覆蓋柵導(dǎo)電層的柵介質(zhì)層；形成第一有源區(qū)金屬層和第二有源區(qū)金屬層；對(duì)第一有源區(qū)金屬層和第二有源區(qū)金屬層進(jìn)行不同溫度的退火以分別形成第一歐姆接觸和第二歐姆接觸。本發(fā)明在制備SIC MOSET器件的過(guò)程中，對(duì)N型區(qū)金屬層和P型區(qū)金屬層退火時(shí)采取不同的退火溫度，使得N型和P型區(qū)各自可在不同的最優(yōu)退火溫度進(jìn)行退火，從而使P型歐姆接觸區(qū)和N型歐姆接觸區(qū)均可得到最優(yōu)的接觸電阻率，有助于提高器件性能。