垂直型邏輯器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111233456.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113972283A 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN113972283A 申請公布日 2022-01-25
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉金營 申請（專利權(quán)）人 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直型邏輯器件及制備方法。器件包括半導(dǎo)體基底；第一電極、溝道層及第二電極，依次堆疊于半導(dǎo)體基底上；第一導(dǎo)電硅化物層及第一金屬連線層，第一導(dǎo)電硅化物層位于半導(dǎo)體基底上，且與第一電極電接觸，第一金屬連線層位于第一導(dǎo)電硅化物的表面，且向第一電極的外側(cè)延伸；柵極結(jié)構(gòu)，位于溝道層的周向上，由內(nèi)至外依次包括柵絕緣層、柵介質(zhì)層及功函數(shù)金屬層；第二導(dǎo)電硅化物層及第二金屬連線層，依次位于第二電極的周向上，且與第二電極電接觸；絕緣層，覆蓋第一金屬連線層、功函數(shù)金屬層、第二導(dǎo)電硅化物層及第二金屬連線層。本發(fā)明創(chuàng)造性地采用水平金屬連接線設(shè)計以分別直接與多個器件的源、漏及柵連接，有助于提高器件性能。