碳化硅半導(dǎo)體器件制備方法、碳化硅半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111451571.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114156184A 公開（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114156184A 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/167（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季益靜;吳賢勇;賀藝舒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 鄭元博
地址 200135上海市浦東新區(qū)云水路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅半導(dǎo)體器件制備方法、碳化硅半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用，在碳化硅基底層的一側(cè)形成第一掩膜層，進(jìn)行第一次注入形成阱區(qū)，其中，碳化硅基底層為第一導(dǎo)電類型，阱區(qū)為第二導(dǎo)電類型，第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型的導(dǎo)電類型相反，第一掩膜層的厚度為0.1μm～10μm；向阱區(qū)進(jìn)行第二次注入第一導(dǎo)電類型的材料，形成第一源區(qū)，其中，注入時(shí)與法線的角度為10°～70°。上述碳化硅半導(dǎo)體器件制備方法通過調(diào)整掩膜層厚度及注入角度的方法形成所需寬度短溝道，掩膜層的厚度以及注入角度的控制均可以通過設(shè)備的工藝參數(shù)精確控制，即所需溝道長(zhǎng)度可以通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)可控，可以提高制備所需溝道碳化硅半導(dǎo)體器件的可控性以及穩(wěn)定性。