一種晶硅表面電池的堿拋光方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111494449.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113903832A 公開（公告）日 2022-01-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113903832A 申請(qǐng)公布日 2022-01-07
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C09K13/00（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李一鳴;趙晶;張震華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 紹興拓邦電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 紹興鋒行知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐鋒
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)斗門街道三江東路22號(hào)8幢車間13-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶硅表面電池的堿拋光方法，屬于晶硅處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及將多晶硅片進(jìn)行清洗處理得到處理后的多晶硅片，多晶硅片上無(wú)二氧化硅氧化層；將處理后的多晶硅片于拋光液中處理得到了拋光后的多晶硅片；拋光液中含有四甲基氫氧化銨、異丙醇和三嗪衍生物，三嗪衍生物為三聚氯氰上的氯被至少一個(gè)L?半胱氨酸取代的取代物的混合物。經(jīng)本發(fā)明堿拋光液拋光后的多晶硅片的拋光面的反射率提高，反射率提高了6?15%；包覆氧化鋁鈍化膜的電池片的少子壽命提高，少子壽命提高了30?60%；包覆氧化鋁鈍化膜的電池片的轉(zhuǎn)換效率，轉(zhuǎn)換效率提高了0.1?0.7%。