一種單晶硅片的堿刻蝕拋光方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111597932.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113980580A 公開（公告）日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113980580A 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) C09G1/02（2006.01）I;C09K23/42（2022.01）I;C09K23/22（2022.01）I;C07C231/12（2006.01）I;C07C231/14（2006.01）I;C07C235/52（2006.01）I;C08G65/28（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 李一鳴;吳冰;張震華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 紹興拓邦電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 紹興鋒行知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐鋒
地址 312000浙江省紹興市越城區(qū)斗門街道三江東路22號(hào)8幢車間13-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種單晶硅片的堿刻蝕拋光方法，屬于硅片刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體是利用包含研磨顆粒、甘油、有機(jī)胺化合物、酒石酸鈉、含氟非離子表面活性劑、酒石酸鈉的堿性拋光液，通過表面預(yù)處理、表面刻蝕拋光、堿清洗、酸清洗、水洗等步驟對(duì)單晶硅進(jìn)行刻蝕拋光，實(shí)現(xiàn)了較低溫度下的刻蝕拋光，能耗減少，刻蝕拋光效果好，硅片減薄量低，硅片表面反射率、電池的轉(zhuǎn)化效率得到有效提高。