一種減小霍爾器件失調(diào)電壓的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN02116445.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1450672A 公開（公告）日 2003-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN1450672A 申請(qǐng)公布日 2003-10-22
分類號(hào) H01L43/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭一陽;韓海;景士平;梁平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京華源科半光電子科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)清華東路肖莊林業(yè)大學(xué)院內(nèi)中科院半導(dǎo)體所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低失調(diào)電壓的砷化鎵霍爾器件的制備工藝方法，在基片上蒸鍍氧化硅形成器件圖形，然后再用離子注入技術(shù)在圖形中形成高濃度有源區(qū)，最后蒸鍍電極構(gòu)成霍爾器件的芯片。本發(fā)明所述的工藝圖形精確，各向同性，由此制備的霍爾器件失調(diào)電壓很小。