高線性度砷化鎵霍爾器件的制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02116446.0 申請日 -
公開（公告）號 CN100383993C 公開（公告）日 2008-04-23
申請公布號 CN100383993C 申請公布日 2008-04-23
分類號 H01L43/06(2006.01);G01R15/20(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭一陽;韓海;景士平;梁平 申請（專利權(quán)）人 北京華源科半光電子科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)清華東路肖莊林業(yè)大學(xué)院內(nèi)中科院半導(dǎo)體所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高線性度的離子注入型砷化鎵霍爾器件的制備工藝法，使用陽極氧化工藝減薄有源區(qū)的外表面，根據(jù)器件符合線性的程度調(diào)節(jié)減薄的深度，直到器件具有良好的線性特性。