一種多晶硅的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310044962.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103101912B 公開（公告）日 2014-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN103101912B 申請(qǐng)公布日 2014-07-09
分類號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 李偉生;龔炳生;王曉艷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建興朝陽(yáng)硅材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京元中知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 福建興朝陽(yáng)硅材料股份有限公司
地址 364211 福建省龍巖市上杭縣南陽(yáng)工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種多晶硅的制備方法，包括如下步驟：硅液在抬包中吹氣、NaCl、KCl與SiO2造渣劑、等離子體相結(jié)合精煉除硼雜質(zhì)，其中，氧化性氣體電離成等離子氣體從抬包底部通入硅液中，持續(xù)通入等離子氣體1～3h,在抬包內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)；反應(yīng)完成之后經(jīng)過(guò)處理得到低磷硼金屬硅；將硅錠破碎、磨粉、酸洗，清洗，烘干；將酸洗后硅粉加熱熔化成硅液，保溫；石墨板放置于硅液的表面上，石墨板與石墨坩堝底部分別與外界直流電壓的負(fù)、正極接，所施加的直流電壓為10～100V；通電2～4h后，在通電狀態(tài)下，石墨坩堝以0.10～0.15mm/min的速率下降，離開加熱區(qū)，進(jìn)行定向凝固，冷卻后取出硅錠，切除上層雜質(zhì)富集區(qū)，得到提純后6N多晶硅。該方法去除硼、金屬等雜質(zhì)效果好、成本低、環(huán)保。