一種制備太陽能級多晶硅的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310047431.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103112857B 公開（公告）日 2014-07-09
申請公布號 CN103112857B 申請公布日 2014-07-09
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 李偉生;龔炳生;向用春 申請（專利權(quán)）人 福建興朝陽硅材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京元中知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 王明霞
地址 364211 福建省龍巖市上杭縣南陽工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及制備太陽能級多晶硅的方法，包括：在礦熱爐出硅過程中，向抬包底部持續(xù)通入氧化性氣體；出硅完成后，將預(yù)熔造渣劑倒入抬包中精煉；將氧化性氣體采用等離子發(fā)生器電離后注入硅液中；待反應(yīng)完后，將得到的硅液注入保溫裝置中凝固，待硅錠冷卻后，打磨硅錠四周及底面潔凈；將硅錠破碎、磨粉，采用混合酸進(jìn)行酸洗，清洗，烘干；將酸洗后硅粉放入中頻爐石墨坩堝中加熱熔化成硅液，保溫；于硅液的表面放置石墨板，石墨板與直流電壓的負(fù)極相接，石墨坩堝底部與直流電壓的正極相接，施加直流電壓；通電2～4h后，在通電狀態(tài)下，石墨坩堝緩慢下降，離開加熱區(qū)，進(jìn)行定向凝固，冷卻后取出硅錠，切除上層和尾部的雜質(zhì)區(qū)，即得提純后6N多晶硅。