一種用于聲學(xué)濾波器的異質(zhì)單晶薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110829439.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113764572A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113764572A 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類號(hào) H01L41/253（2013.01）I;H01L41/312（2013.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐欣;李忠旭;黃凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 201800上海市嘉定區(qū)匯源路55號(hào)8幢3層J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及聲學(xué)濾波器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于聲學(xué)濾波器的異質(zhì)單晶薄膜的制備方法。該異質(zhì)單晶薄膜的制備方法包括以下步驟：提供異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)；該異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)包括壓電薄膜；對(duì)該異質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行后退火處理；該后退火溫度范圍為300?800攝氏度；該后退火的氛圍內(nèi)含有與該壓電薄膜對(duì)應(yīng)的元素材料。從而能夠在實(shí)現(xiàn)提高鍵合強(qiáng)度，恢復(fù)晶格缺陷的同時(shí)，還能夠有效抑制壓電薄膜中鋰元素和氧元素等的外釋問(wèn)題，提高異質(zhì)單晶薄膜的質(zhì)量。