一種異質(zhì)薄膜襯底的制備方法及聲濾波器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110829225.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113764574A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113764574A 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類(lèi)號(hào) H01L41/312（2013.01）I;H01L41/253（2013.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/64（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I;H03H9/58（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐欣;李忠旭;黃凱 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 201800上海市嘉定區(qū)匯源路55號(hào)8幢3層J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及射頻器件制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種異質(zhì)薄膜襯底的制備方法及聲濾波器。本申請(qǐng)異質(zhì)薄膜襯底的制備方法，通過(guò)在支撐襯底的表面注入同組分的離子，在支撐襯底中形成缺陷層，優(yōu)化了異質(zhì)襯底結(jié)構(gòu)中的熱應(yīng)力分布，優(yōu)化了器件的頻率偏移及損耗，降低了功耗。