一種異質(zhì)單晶薄膜的制備方法及異質(zhì)單晶薄膜

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110467099.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113394338A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113394338A 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) H01L41/312;H01L41/33;H01L41/187;C30B23/00;C30B33/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐欣;李忠旭;黃凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 201800 上海市嘉定區(qū)匯源路55號(hào)8幢3層J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及材料制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種異質(zhì)單晶薄膜的制備方法及異質(zhì)單晶薄膜。包括：獲取薄膜轉(zhuǎn)移襯底，薄膜轉(zhuǎn)移襯底包括相對(duì)的第一表面和第二表面；對(duì)薄膜轉(zhuǎn)移襯底進(jìn)行離子注入，在薄膜轉(zhuǎn)移襯底內(nèi)形成注入損傷層；獲取支撐襯底和剛性襯底；將支撐襯底與第一表面鍵合，剛性襯底與第二表面鍵合，得到鍵合襯底；對(duì)鍵合襯底進(jìn)行熱處理，使得鍵合襯底沿注入損傷層剝離，得到異質(zhì)單晶薄膜。通過(guò)在薄膜轉(zhuǎn)移襯底的另一個(gè)表面上鍵合剛性襯底，優(yōu)化異質(zhì)襯底結(jié)構(gòu)中的熱應(yīng)力分布，極大地改善了異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu)在加熱剝離時(shí)所面臨的形變，能夠提高薄膜質(zhì)量及成品率，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了單晶壓電薄膜及厚膜的制備，大幅提高了生產(chǎn)效率。