一種提高薄膜CMP拋光厚度均勻性的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110524096.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113436960A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請公布號 | CN113436960A | 申請公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 歐欣;陳陽;黃凱 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)匯源路55號8幢3層J | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及晶圓制造技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明公開了一種提高薄膜CMP拋光厚度均勻性的方法。該拋光方法通過先對薄膜晶圓進行第一CMP拋光，使該薄膜晶圓形成中間薄邊緣厚的狀態(tài)，再對第一CMP拋光后的薄膜晶圓的邊緣進行倒角，從而使得邊緣區(qū)域晶圓整體厚度變小，能夠改變晶圓在CMP背壓氣囊下方的受力分布，再對其進行第二CMP拋光，從而使該狀態(tài)下邊緣去除量大于中間部分去除量，與第一CMP拋光形成相互補償，從而改善薄膜晶圓的厚度不均勻性。 |
