一種混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)的制備方法及襯底結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110518985.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113437162A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437162A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0392（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐欣;陳陽;黃凱 申請（專利權(quán)）人 上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 201800上海市嘉定區(qū)匯源路55號8幢3層J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及光電芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)的制備方法及襯底結(jié)構(gòu)。方法包括：獲取絕緣體上硅襯底和絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底；絕緣體上硅襯底包括支撐層和鍵合層，鍵合層包括硅薄膜層，硅薄膜層設(shè)置在支撐層上；絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底包括鈮酸鋰薄膜層；將鈮酸鋰薄膜層與鍵合層鍵合得到復(fù)合鍵合結(jié)構(gòu)；去除復(fù)合鍵合結(jié)構(gòu)中的支撐層，暴露出硅薄膜層得到混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)。通過將絕緣體上硅襯底和絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底鍵合，得到性能優(yōu)異的混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)性能更加優(yōu)秀的光電芯片的制備。