一種大電流密度的LDNMOS結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621020802.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN206098397U 公開（公告）日 2017-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN206098397U 申請(qǐng)公布日 2017-04-12
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋猛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州隆謄微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州根號(hào)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 項(xiàng)麗
地址 215513 江蘇省蘇州市常熟經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)研究院路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種大電流密度的LDNMOS結(jié)構(gòu)，所述LDNMOS結(jié)構(gòu)的源區(qū)和背柵之間為間隔設(shè)置，所述源區(qū)和所述背柵采用小尺寸，在所述LDNMOS結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型N溝道層下設(shè)有N阱環(huán)，所述N阱環(huán)的底部靠近N型埋層，用于構(gòu)建深保護(hù)環(huán)。本實(shí)用新型能夠縮短LDNMOS結(jié)構(gòu)的布線距離，降低導(dǎo)線上電阻，進(jìn)而減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻。另外，本實(shí)用新型通過(guò)深N阱環(huán)的設(shè)計(jì)減小大電流時(shí)的襯底注入，消除閂鎖效應(yīng)，可收集最高比例的電子，同時(shí)有助于防止歐姆去偏置。