一種NOR Flash存儲組以及NOR Flash存儲模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720367697.5 申請日 -
公開（公告）號 CN206742239U 公開（公告）日 2017-12-12
申請公布號 CN206742239U 申請公布日 2017-12-12
分類號 H01L27/115(2017.01)I;H01L27/11517(2017.01)I;H01L27/11524(2017.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭海兵 申請（專利權(quán)）人 蘇州諾存微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 蘇州諾存微電子有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)祖沖之南路1666號清華科技園1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種NOR?Flash存儲組及NOR?Flash存儲模塊，涉及閃存技術(shù)領(lǐng)域，其中，NOR?Flash存儲組包括：襯底；位于襯底上的緩沖層；位于緩沖層上遠離襯底一側(cè)的至少兩個存儲單元；存儲單元包括：絕緣層；位于絕緣層上的位線、導電溝道和源線；位于絕緣層上且分別位于位線、導電溝道和源線兩側(cè)的隧道電介質(zhì)層；位于絕緣層上且分別位于隧道電介質(zhì)層遠離位線、導電溝道和源線一側(cè)的浮柵結(jié)構(gòu)，浮柵結(jié)構(gòu)的垂直投影位于絕緣層的垂直投影之內(nèi)；位于絕緣層兩側(cè)且分別位于浮柵結(jié)構(gòu)遠離隧道電介質(zhì)層一側(cè)的阻斷絕緣層以及分別位于阻斷絕緣層遠離浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)且包覆阻斷絕緣層的控制柵結(jié)構(gòu)。采用上述技術(shù)方案，NOR?Flash存儲組存儲密度較高。