一種NOR型存儲組、存儲裝置及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810297897.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109994488A 公開（公告）日 2019-07-09
申請公布號 CN109994488A 申請公布日 2019-07-09
分類號 H01L27/11582（2017.01）I; H01L27/11568（2017.01）I; H01L27/115（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭海兵 申請（專利權(quán)）人 蘇州諾存微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 蘇州諾存微電子有限公司
地址 215300 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)祖沖之南路1666號清華科技園1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種NOR型存儲組、存儲裝置及制作方法，所述NOR型存儲組包括：襯底、形成于所述襯底上的多個存儲單元組，每個存儲單元組包括兩個存儲單元，所述每個存儲單元包括漏極、源極、電荷存儲結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電溝道以及側(cè)柵極，其中，所述漏極和源極分別與所述導(dǎo)電溝道的頂部和底部進行連接，同一個存儲單元組內(nèi)的兩個存儲單元的側(cè)柵極分別位于所述導(dǎo)電溝道的兩側(cè)，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)位于所述側(cè)柵極與所述導(dǎo)電溝道之間；所述多個存儲單元組內(nèi)的所有存儲單元的源極進行電連接，所有存儲單元的漏極進行電連接。本發(fā)明實施例提供的NOR型存儲組可實現(xiàn)較高的存儲密度，且可以避免存儲單元出現(xiàn)過擦的問題。