三維非易失性NOR型閃存

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510999059.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105870121B 公開（公告）日 2018-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN105870121B 申請(qǐng)公布日 2018-09-21
分類號(hào) H01L27/11551;H01L27/11578 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭海兵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州諾存微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 蘇州諾存微電子有限公司
地址 215347 江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)祖沖之南路1666號(hào)清華科技園1號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了三維非易失性NOR閃存的一些器件結(jié)構(gòu)：這些閃存器件由本發(fā)明提供的一系列基本NOR存儲(chǔ)組連結(jié)成陣列構(gòu)成，而這些基本NOR存儲(chǔ)組中的各存儲(chǔ)單元(場效應(yīng)晶體管)沿著一定方向(垂直、斜交或平行于基底平面方向)堆疊/排列且電路上形成并聯(lián)，來低成本地實(shí)現(xiàn)高存儲(chǔ)密度(可達(dá)1Tb量級(jí))。這些三維NOR閃存器件不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)任意單個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行獨(dú)立的完全隨機(jī)存取，而且可對(duì)任意數(shù)量的選定存儲(chǔ)單元群進(jìn)行并行寫入/擦除操作，因而可廣泛使用于可執(zhí)行代碼存儲(chǔ)和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)兩方面的應(yīng)用之中。