采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶體管實現(xiàn)高耐壓的整流器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200780007767.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101405932B | 公開(公告)日 | 2011-06-01 |
申請公布號 | CN101405932B | 申請公布日 | 2011-06-01 |
分類號 | H02M7/219(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
發(fā)明人 | 王兼明;曹玉升;毛軍華;巫向東 | 申請(專利權(quán))人 | 上海凱路微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海凱路微電子有限公司;四川凱路威電子有限公司;四川凱路威科技有限公司 |
地址 | 201203 上海市張江高科技園區(qū)松濤路563號1號樓305室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶體管實現(xiàn)的高耐壓橋式全波整流器,包括四個MOS晶體管(103,104,105,106)。在需承受高壓的晶體管和整流器的輸入端之間串接額外的晶體管(107,108),來減小該晶體管柵極上的電壓。同時,還通過串接其他額外晶體管(109,110)的方式,對其柵極和源極之間的電壓進(jìn)行分壓,從而在不增加額外工藝復(fù)雜性的情況下,采用標(biāo)準(zhǔn)的低壓CMOS晶體管來實現(xiàn)高耐壓整流器,降低了制造和工藝成本。 |
