真空電弧離子鍍膜源裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821736284.0 申請日 -
公開（公告）號 CN209307476U 公開（公告）日 2019-08-27
申請公布號 CN209307476U 申請公布日 2019-08-27
分類號 C23C14/32（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 侯玉萍 申請（專利權(quán)）人 大連維鈦克科技股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 116600 遼寧省大連市甘井子區(qū)大連灣街道振興路200號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 真空電弧離子鍍膜源裝置，陰極體前端連接靶材，陰極體后部設(shè)有螺紋，陰極體通過螺紋連接調(diào)節(jié)螺母，陰極體外側(cè)安裝法蘭，法蘭與陰極體之間設(shè)有內(nèi)絕緣套、外絕緣套和壓緊密封膠圈，壓緊密封膠圈位于內(nèi)絕緣套和外絕緣套之間，法蘭端面上位于外絕緣套外側(cè)通過壓緊螺栓安裝壓緊法蘭。本實用新型的真空電弧離子鍍膜源裝置，可實現(xiàn)靶材的前后移動，確保靶材與工件的距離保持不變，確保了高效、高質(zhì)的鍍膜，提高了生產(chǎn)效率。