一種高壓及功率器件場限環(huán)的新型保護環(huán)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110121400.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102779812A 公開（公告）日 2012-11-14
申請公布號 CN102779812A 申請公布日 2012-11-14
分類號 H01L23/58(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭林 申請（專利權）人 重慶萬道光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 401120 重慶市北部新區(qū)星光大道62號海王星科技大廈5區(qū)9層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利公開的一種高壓及功率器件場限環(huán)的新型保護環(huán)，是為了克服微電子領域功率器件設計、生產中常用的場限環(huán)技術存在的潛在可靠性隱患而專門設計和制作的。所述高壓及功率器件場限環(huán)的新型保護環(huán)，就是在常規(guī)場限環(huán)的不同位置，規(guī)則的(等距的)或隨機的(不等距)設置割斷點，使原來連續(xù)的保護環(huán)成為一段一段的非連續(xù)環(huán)。規(guī)則的或隨機的割斷點尺寸要控制得比較小，其基本的要求就是要保證割斷下面的襯底是耗盡的，這樣才能保持原來環(huán)的保護功能。為了獲得更高的保護電壓，非連續(xù)的新型保護環(huán)可以做成二環(huán)，三環(huán)甚至多環(huán)的結構。在多環(huán)結構的情況下，無論保護環(huán)割斷的設計是規(guī)則的或是隨機的，兩個環(huán)之間的割斷點必須是錯開的，不能夠出現并行排列的情況。