半導體器件結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180000644.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112956018B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN112956018B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L23/48;H01L21/768 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈競宇;趙起越;周春華;楊超;高吳昊;石瑜;魏寶利 申請（專利權）人 英諾賽科（蘇州）半導體有限公司
代理機構 深圳宜保知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本揭露提供了半導體器件結構及其制造方法。半導體器件結構包括襯底、第一氮化物半導體層、第二氮化物半導體層、柵極電極、第一電極、第一通孔和第二通孔。襯底具有第一表面和第二表面。第一氮化物半導體層設置在襯底的第一表面上。第二氮化物半導體層設置在第一氮化物半導體層上，且具有的帶隙超過第一氮化物半導體層的帶隙。柵極電極和第一電極設置在第二氮化物半導體層上。第一通孔從第二表面延伸并電連接到第一電極。第二通孔從第二表面延伸。第一通孔的深度不同于第二通孔的深度。