III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180000921.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113169150B 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN113169150B 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L23/495（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱尚青;張雷;曹凱;黃敬源 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種III族氮基半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括引線架、黏著層、III族氮基晶粒、封裝材料和至少一接合線。引線架包括管芯座和引線。管芯座具有設(shè)置在管芯座的頂面中的第一和第二凹槽。第一凹槽位于頂面的相對中心區(qū)域附近。第二凹槽位于頂面的相對外圍區(qū)域附近。從俯視觀之，第一凹槽具有與第二凹槽不同的形狀。黏著層設(shè)置在管芯座上以填充到第一凹槽中。III族氮基晶粒設(shè)置在黏著層上。封裝材料封裝引線架和III族氮基晶粒。第二凹槽填充有封裝材料。接合線被封裝材料封裝。