半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110123134.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112951909B 公開（公告）日 2022-02-15
申請公布號 CN112951909B 申請公布日 2022-02-15
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝榮暉;黃敬源 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 半導(dǎo)體器件包括第一氮化物半導(dǎo)體層、第二氮化物半導(dǎo)體層、第一p型摻雜氮化物半導(dǎo)體層、柵極結(jié)構(gòu)、源極、漏極以及第二p型摻雜氮化物半導(dǎo)體層。第二氮化物半導(dǎo)體層設(shè)置于第一氮化物半導(dǎo)體層上，且具有的帶隙大于第一氮化物半導(dǎo)體層的帶隙。第一p型摻雜氮化物半導(dǎo)體層設(shè)置于第二氮化物半導(dǎo)體層與柵極結(jié)構(gòu)之間。源極以及漏極設(shè)置于第二氮化物半導(dǎo)體層上。第二p型摻雜氮化物半導(dǎo)體層設(shè)置于第二氮化物半導(dǎo)體層上，其中漏極至第二氮化物半導(dǎo)體層的頂面的高度大于第二p型摻雜氮化物半導(dǎo)體層至第二氮化物半導(dǎo)體層的頂面的高度，且至少一部分的第二p型摻雜氮化物半導(dǎo)體層于第二氮化物半導(dǎo)體層的垂直投影落在漏極于第二氮化物半導(dǎo)體層的垂直投影內(nèi)。