集成半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210214915.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114597173A 公開（公告）日 2022-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN114597173A 申請(qǐng)公布日 2022-06-07
分類號(hào) H01L21/8234;H01L27/085;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹凱;張建平;張雷;姚衛(wèi)剛;周春華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成半導(dǎo)體器件包含襯底、多個(gè)半導(dǎo)體電路層、絕緣材料以及互連層。這些半導(dǎo)體電路層配置在襯底上方。絕緣材料配置在半導(dǎo)體電路層上?；ミB層嵌入在絕緣材料中且電連接到半導(dǎo)體電路層中的一或多個(gè)。半導(dǎo)體電路層包含多個(gè)器件部分和一或多個(gè)隔離部分。隔離部分配置在器件部分之間，且隔離部分在相鄰器件部分之間提供電隔離?；ミB層具有嵌入在器件部分上的絕緣材料中的多個(gè)電路。絕緣材料具有從器件部分上的電路的頂部表面升高的一或多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體電路層中的一些形成至少一個(gè)異質(zhì)結(jié)。