半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180000662.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112840464B 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112840464B 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L29/417（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李浩;張安邦;鄭浩寧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包含半導(dǎo)體堆疊和第一歐姆接觸件。所述半導(dǎo)體堆疊形成于襯底上。所述半導(dǎo)體堆疊具有第一氮化物半導(dǎo)體層和形成于所述第一氮化物半導(dǎo)體層上的第二氮化物半導(dǎo)體層。所述第二氮化物半導(dǎo)體層具有比所述第一氮化物半導(dǎo)體層的帶隙更寬的帶隙。所述第一歐姆接觸件安置于所述半導(dǎo)體堆疊上方。所述第一歐姆接觸件具有暴露所述第一氮化物半導(dǎo)體層的第一開口。