集成半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180004425.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114127914A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114127914A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/085（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹凱;張建平;張雷;姚衛(wèi)剛;周春華 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成半導(dǎo)體器件包含襯底、半導(dǎo)體電路層、第一絕緣層、第二絕緣層和互連層。半導(dǎo)體電路層配置在襯底上方。半導(dǎo)體電路層具有器件部分和隔離部分，且隔離部分位于器件部分之間。第一絕緣層配置在半導(dǎo)體電路層上，且第二絕緣層配置在第一絕緣層上，且互連層配置在半導(dǎo)體電路層上?；ミB層穿透第一絕緣層和第二絕緣層以電連接半導(dǎo)體電路層的器件部分。第二絕緣層或第一絕緣層和第二絕緣層共同地在半導(dǎo)體電路層的隔離部分上方形成一或多個隔離結(jié)構(gòu)?；ミB層具有位于器件部分上方的多個第一電路。