一種LED芯片用鍵合襯底的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610203193.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105762263A 公開（公告）日 2016-07-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN105762263A 申請(qǐng)公布日 2016-07-13
分類號(hào) H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 云峰;郭茂峰;蘇喜林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西新光源科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陜西新光源科技有限責(zé)任公司
地址 710077 陜西省西安市雁塔區(qū)錦業(yè)路125號(hào)西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園103號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED芯片用鍵合襯底的制備方法，包括以下步驟：1)在起始鍵合襯底上制備犧牲層金屬；2)對(duì)起始鍵合襯底上的犧牲層金屬利用退火工藝進(jìn)行表面改性處理，在鍵合襯底和犧牲層金屬間形成過(guò)渡層金屬；3)腐蝕去除起始鍵合襯底上剩余犧牲層金屬；4)在過(guò)渡層金屬上制備永久鍵合金屬層，以形成最終的鍵合襯底。4)在過(guò)渡層金屬上制備永久鍵合金屬層，以形成最終的鍵合襯底。本發(fā)明提供的一種LED芯片用鍵合襯底的制備方法，在起始鍵合襯底表面制備犧牲層金屬結(jié)構(gòu)，通過(guò)處理形成過(guò)渡層金屬，起到降低起始鍵合襯底與外延片間的熱膨脹系數(shù)差的作用。