一種硅異質(zhì)結(jié)光伏電池及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811034073.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108878594B 公開（公告）日 2019-12-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN108878594B 申請(qǐng)公布日 2019-12-06
分類號(hào) H01L31/20（2006.01）; H01L31/0747（2012.01）; H01L31/0725（2012.01）; H01L31/0288（2006.01）; H01L31/0376（2006.01）; H01L31/0352（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州錢正信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州元聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)園管理有限公司
地址 215131 江蘇省蘇州市相城區(qū)元和街道嘉元路959號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅異質(zhì)結(jié)光伏電池及其制造方法，該方法包括以下步驟：對(duì)所述N型單晶硅片進(jìn)行雙面制絨處理；在所述N型單晶硅片的上表面依次沉積第一本征非晶硅層、第一P型非晶硅層、第二P型非晶硅層、第三P型非晶硅層、第四P型非晶硅層；接著在所述N型單晶硅片的下表面依次沉積第二本征非晶硅層、第一N型非晶硅層、第二N型非晶硅層、第三N型非晶硅層以及第四N型非晶硅層；接著在所述第四P型非晶硅層上沉積第一透明導(dǎo)電層，接著在所述第四N型非晶硅層上沉積第二透明導(dǎo)電層；接著在所述第一透明導(dǎo)電層上沉積正面電極，并在所述第二透明導(dǎo)電層上沉積背面電極。