一種P型單晶硅電池及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811028195.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109216480B 公開(kāi)（公告）日 2019-11-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109216480B 申請(qǐng)公布日 2019-11-29
分類號(hào) H01L31/0236;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州錢正信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州元聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)園管理有限公司
地址 215131 江蘇省蘇州市相城區(qū)元和街道嘉元路959號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種P型單晶硅電池及其制造方法，該制造方法包括以下步驟：在所述P型單晶硅片的上下表面形成多個(gè)平行排列的對(duì)應(yīng)的第一條形溝槽和第二條形溝槽，所述第一條形溝槽的深度與所述P型單晶硅片的厚度的比值為0.6?0.8，所述第二條形溝槽的深度與所述P型單晶硅片的厚度的比值為0.5?0.7，所述第一條形溝槽與相鄰的所述第二條形溝槽之間單晶硅層的厚度為25?35微米；接著形成N型磷擴(kuò)散層、N型重?fù)诫s磷擴(kuò)散區(qū)以及P型重?fù)诫s硼擴(kuò)散區(qū)；接著在所述P型單晶硅片的上下表面分別形成鈍化層和電極。本發(fā)明的P型單晶硅電池具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率。