一種硅基有機(jī)無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811139139.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109192864B 公開（公告）日 2021-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN109192864B 申請(qǐng)公布日 2021-12-03
分類號(hào) H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州錢正信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 仲崇明
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)科靈路78號(hào)5號(hào)樓101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅基有機(jī)無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池及其制備方法，該方法包括以下步驟：在N型單晶硅片的上下表面形成多個(gè)平行排列且間隔設(shè)置的第一溝槽和第二溝槽，使得所述第一溝槽的底面與相應(yīng)的所述第二溝槽的底面在垂直方向上的重疊部分的寬度與所述第一溝槽的底面的寬度的比值為0.5?0.8；在所述N型單晶硅片的上表面、所述第一溝槽的底面以及側(cè)面形成硅納米線陣列；在所述N型單晶硅片的下表面的每個(gè)第二溝槽中形成N型重?fù)诫s磷擴(kuò)散區(qū)；在所述N型單晶硅片的上表面形成一致密的Spiro?OMeTAD層、一復(fù)合PEDOT:PSS層以及正面柵電極；在所述N型單晶硅片的下表面制備背面電極。