一種半導體功率器件封裝及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811131943.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN109300795B | 公開（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申請公布號 | CN109300795B | 申請公布日 | 2020-05-19 |
| 分類號 | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/367 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 管先炳 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州錢正信息科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226400 江蘇省南通市南通高新區(qū)金川路東、油榨路北 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導體功率器件封裝及其制備方法，該方法包括：在所述金屬基底上設(shè)置導熱硅膠層、絕緣層以及電路布線層，并嵌入一隔熱型塑料框，將所述電路布線層分成第一區(qū)和第二區(qū)，在所述電路布線層的所述第一區(qū)域中裝配驅(qū)動元件以及相應(yīng)的第一引腳，在所述電路布線層的所述第二區(qū)域中裝配功率元件以及相應(yīng)的第二引腳，接著形成第一樹脂密封膠層、第一導熱密封膠層、第二導熱密封膠層、第一隔熱密封膠層以及第二隔熱密封膠層。本發(fā)明的半導體功率器件封裝綜合性能優(yōu)異、穩(wěn)定性好且使用壽命長。 |
