一種銅蝕刻液及其在晶圓級封裝中的應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110903582.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113718256A 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN113718256A 申請公布日 2021-11-30
分類號 C23F1/18（2006.01）I;H01L21/3213（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 侯軍;武文東 申請（專利權(quán)）人 浙江奧首材料科技有限公司
代理機構(gòu) 北京元周律知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 毛薇
地址 324012浙江省衢州市杜鵑路36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種銅蝕刻液，按重量份計含有：有機酸1.0?8.0份；含有羧酸基團的胺類化合物0.1?4.0份；酰胺類表面活性劑0.001?1.0份；有機膦系化合物0.3?3.0份；過氧化氫1?10份；水70.0?99.0份。在一定的濃度范圍內(nèi)，有機酸、含有羧酸基團的胺類化合物、酰胺類表面活性劑、有機膦系化合物、過氧化氫以及水的復(fù)配，可以有效地將晶圓上的銅層去除。尤其是含有羧酸基團的胺類化合物和酰胺類表面活性劑的引入，其二者的協(xié)同作用不僅降低了金屬的腐蝕，而且減少了側(cè)蝕，將CD?loss控制在了300nm以內(nèi)，從而為晶圓級封裝窄間距凸點、精細線路的制作提供有效的技術(shù)支持。