石墨烯插層III族氮化物半導(dǎo)體復(fù)合薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010443660.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111613698A 公開（公告）日 2020-09-01
申請公布號 CN111613698A 申請公布日 2020-09-01
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐洪秀 申請（專利權(quán)）人 青島粲耀新材料科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 266000山東省青島市黃島區(qū)胎泰發(fā)路臨港工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種石墨烯插層III族氮化物半導(dǎo)體復(fù)合薄膜，通過在現(xiàn)有的III族氮化物半導(dǎo)體復(fù)合薄膜中插層石墨烯層，以在襯底表面制得結(jié)構(gòu)為(III族氮化物層A/石墨烯/III族氮化物層B/石墨烯)n+1/GaN的石墨烯插層III族氮化物半導(dǎo)體復(fù)合薄膜。石墨烯插層的引入，可以改善改善各III族氮化物層的平整度以及III族氮化物層和石墨烯層之間的界面陡峭度。同時，石墨烯層與III族氮化物層之間均是異質(zhì)結(jié)構(gòu)，可以增強整個超晶格薄膜的光電轉(zhuǎn)換效率，不需要通過額外的調(diào)控III族氮化物層中的元素百分比含量來獲得具有不同勢壘的結(jié)構(gòu)層來增強光電轉(zhuǎn)換效率。??