石墨烯插層超晶格薄膜及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010443659.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111613697A | 公開（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申請公布號 | CN111613697A | 申請公布日 | 2020-09-01 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐洪秀 | 申請（專利權(quán)）人 | 青島粲耀新材料科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000山東省青島市黃島區(qū)胎泰發(fā)路臨港工業(yè)園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種含有石墨烯插層的GaN/AlGaN超晶格薄膜，通過在現(xiàn)有的GaN/AlGaN超晶格薄膜中插層石墨烯層，以在襯底表面制得結(jié)構(gòu)為(GaN/石墨烯/AlGaN石墨烯)n+1/GaN的含石墨烯插層的GaN/AlGaN超晶格薄膜。石墨烯插層的引入，可以改善改善GaN層和AlGaN層的平整度以及GaN層、AlGaN層、石墨烯層之間的界面陡峭度。同時，石墨烯層與GaN層和AlGaN層之間均是異質(zhì)結(jié)構(gòu)，可以增強(qiáng)整個超晶格薄膜的光電轉(zhuǎn)換效率，不需要通過額外的調(diào)控AlGaN層中的Al含量來獲得具有不同勢壘的結(jié)構(gòu)層來增強(qiáng)光電轉(zhuǎn)換效率。?? |
