一種含有石墨烯插層的GaN/AlGaN超晶格薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010443659.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111613697B 公開（公告）日 2020-11-27
申請公布號 CN111613697B 申請公布日 2020-11-27
分類號 H01L33/00;H01L31/18;H01L31/0352;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐洪秀 申請（專利權(quán)）人 青島粲耀新材料科技有限責任公司
代理機構(gòu) 北京艾皮專利代理有限公司 代理人 馮鐵惠
地址 044500 山西省運城市永濟市城東街道循環(huán)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種含有石墨烯插層的GaN/AlGaN超晶格薄膜，通過在現(xiàn)有的GaN/AlGaN超晶格薄膜中插層石墨烯層，以在襯底表面制得結(jié)構(gòu)為(GaN/石墨烯/AlGaN/石墨烯)n+1/GaN的含石墨烯插層的GaN/AlGaN超晶格薄膜。石墨烯插層的引入，可以改善改善GaN層和AlGaN層的平整度以及GaN層、AlGaN層、石墨烯層之間的界面陡峭度。同時，石墨烯層與GaN層和AlGaN層之間均是異質(zhì)結(jié)構(gòu)，可以增強整個超晶格薄膜的光電轉(zhuǎn)換效率，不需要通過額外的調(diào)控AlGaN層中的Al含量來獲得具有不同勢壘的結(jié)構(gòu)層來增強光電轉(zhuǎn)換效率。