一種Si-P3HT雜化太陽能電池及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810645087.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108550704B | 公開(公告)日 | 2021-10-29 |
申請公布號 | CN108550704B | 申請公布日 | 2021-10-29 |
分類號 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張軍 | 申請(專利權)人 | 蘇州寶瀾環(huán)??萍加邢薰?/a> |
代理機構 | 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 | 代理人 | 國紅 |
地址 | 214000 江蘇省無錫市梁溪區(qū)蘆中路8號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種Si?P3HT雜化太陽能電池及其制備方法,包括以下步驟:對n型硅片進行制絨處理;在所述n型硅片的下表面沉積鈍化層并形成多個n型重摻雜區(qū);在所述n型硅片的上表面的部分區(qū)域上形成多個p型擴散區(qū);接著在所述n型硅片的上表面依次形成第一P3HT層、第二P3HT層、第一PEDOT:PSS層以及第二PEDOT:PSS層;接著在所述n型硅片的上表面制備正面銅柵電極;最后在所述n型硅片的下表面制備背面銀電極。 |
