一種太陽(yáng)能電池及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810653404.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN108878656B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-11-23 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108878656B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-23 |
分類(lèi)號(hào) | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張軍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 蘇州寶瀾環(huán)保科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 陶長(zhǎng)清 |
地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市梁溪區(qū)蘆中路8號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法,包括以下步驟:對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行制絨處理,在所述N型單晶硅片的上表面形成N型多晶硅層,使得所述N型多晶硅層的摻雜濃度小于所述N型單晶硅片的摻雜濃度,在所述N型多晶硅層的表面依次形成無(wú)機(jī)絕緣薄層、第一Spiro?OMeTAD層、第二Spiro?OMeTAD層、第一PEDOT:PSS層以及第二PEDOT:PSS層,接著在所述N型單晶硅片的上表面制備正面銀柵電極并在所述n型硅片的下表面制備背面鋁電極。該太陽(yáng)能電池具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率。 |
