一種硅光伏電池及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810002365.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108172686B | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
申請公布號 | CN108172686B | 申請公布日 | 2021-07-30 |
分類號 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張軍 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州寶瀾環(huán)??萍加邢薰?/a> |
代理機(jī)構(gòu) | 北京棘龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 謝靜 |
地址 | 519015 廣東省珠海市香洲區(qū)拱北桂花北路205號北嶺桂花工業(yè)村1棟1層11100室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種硅光伏電池及其制備方法,所述硅光伏電池的制備方法包括:n型硅片表面硅納米線陣列的制備;將含有絕緣納米顆粒和Spiro?OMeTAD的氯苯溶液通過旋涂法旋涂于n型硅片上,并進(jìn)行退火處理;接著將PEDOT:PSS溶液旋涂于n型硅片上,并進(jìn)行退火處理,正面電極的制備;n型硅片背面8?羥基喹啉?鋰/氟化鋰復(fù)合界面層的制備;背面鋁電極的制備。通過旋涂含有絕緣納米顆粒和Spiro?OMeTAD的氯苯溶液,在形成Spiro?OMeTAD層的同時,絕緣納米顆粒將沉積于n型硅片表面,有效減少n型硅片表面的缺陷態(tài),降低硅光伏電池的表面復(fù)合速率,進(jìn)而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。 |
