多晶硅融化摻氮直拉生長微氮硅單晶的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN02151126.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN1190527C | 公開（公告）日 | 2005-02-23 |
| 申請公布號 | CN1190527C | 申請公布日 | 2005-02-23 |
| 分類號 | C30B27/00 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李立本;楊德仁;闕端麟 | 申請（專利權(quán)）人 | 寧波立立半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 韓介梅 |
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖區(qū)玉古路20號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的多晶硅融化摻氮直拉生長微氮硅單晶的方法包括多晶硅的融化，種籽晶，放肩、生長、收尾、冷卻全過程，其特征是在多晶硅融化時，用高純氮氣作為保護(hù)氣，高純氮氣的壓力為5～200Torr，流量為1～200 l/min，氮氣通入時間1～1000分鐘，在多晶硅融化后，轉(zhuǎn)化為氬氣保護(hù)，直至硅晶體生長完成。本發(fā)明方法克服了普通氮保護(hù)氣生長大直徑硅單晶的氮元素濃度過高，濃度不易控制的困難，同時能有效降低大直徑硅單晶的生產(chǎn)成本，特別適用于8～12英寸以上微氮硅單晶的制備。 |
