多晶硅融化摻氮生長微氮硅單晶的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02151126.8 申請日 -
公開（公告）號 CN1422989A 公開（公告）日 2003-06-11
申請公布號 CN1422989A 申請公布日 2003-06-11
分類號 C30B27/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李立本;楊德仁;闕端麟 申請（專利權(quán)）人 寧波立立半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江大學(xué)
地址 310027浙江省杭州市西湖區(qū)玉古路20號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的多晶硅融化摻氮生長微氮硅單晶的方法是硅單晶生長過程中,在多晶硅融化時,用高純氮氣作為保護氣,高純氮氣的壓力為5～200Torr,流量為1～200l/min,氮氣通入時間1～1000分鐘,在多晶硅融化后,轉(zhuǎn)化為氬氣保護,直至硅晶體生長完成。本發(fā)明方法克服了普通氮保護氣生長大直徑硅單晶的氮元素濃度過高,濃度不易控制的困難,同時能有效降低大直徑硅單晶的生產(chǎn)成本,特別適用于8～12英寸以上微氮硅單晶的制備。