一種MOSFET扇出型封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022481042.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213583763U 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN213583763U 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L23/485（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/482（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周佳煒;徐德勝 申請（專利權(quán)）人 廣東芯華微電子技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州鼎賢知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉莉梅
地址 528225廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)南海軟件科技園內(nèi)佛高科技智庫中心A座科研樓A107室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種MOSFET扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其中，MOSFET扇出型封裝結(jié)構(gòu)包括：第一塑封層，第一塑封層沿其厚度方向開設(shè)有通孔，通孔由上下兩個小孔端相鄰的錐形孔連通而成；封裝于第一塑封層內(nèi)的MOSFET，位于MOSFET一側(cè)的第一I/O口和位于MOSFET另一側(cè)的第二I/O口分別外露于第一塑封層；導(dǎo)電柱，填充于通孔內(nèi)；第一電連接結(jié)構(gòu)，位于第一塑封層的一側(cè)并與導(dǎo)電柱的一端以及第一I/O口連接；第二電連接結(jié)構(gòu)，位于第一塑封層的另一側(cè)并與導(dǎo)電柱的另一端以及第二I/O口連接。本實用新型通過激光雙面鉆錐形孔并形成導(dǎo)電柱，從而將MOSFET背面的線路層引至正面，提高了MOSFET電氣連接的穩(wěn)定性。