一種三維異構(gòu)AIP芯片的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911043037.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111048424B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號(hào) CN111048424B 申請公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/66（2006.01）I;H01Q1/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林挺宇;崔銳斌;楊斌 申請（專利權(quán)）人 廣東芯華微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州知順知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 彭志堅(jiān)
地址 528225廣東省佛山市獅山鎮(zhèn)南海軟件科技園內(nèi)佛高科技智庫中心A1座科研樓208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種三維異構(gòu)AIP芯片的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，封裝方法包括：在晶圓的正面貼研磨膠帶，并對其背面研磨減?。粚A劃片處理形成毫米波芯片；將毫米波芯片貼在臨時(shí)鍵合膠上，在毫米波芯片的上表面涂覆第一石墨烯層，在第一石墨烯層上涂布反射層；對毫米波芯片、第一石墨烯層和反射層進(jìn)行塑封；于第一塑封層形成通孔，把Cu填滿通孔；在一次塑封件的上表面制作上線路層；在上線路層上放置IPD芯片并布設(shè)天線層，涂覆第二石墨烯層，對上線路層、IPD芯片、天線層、第二石墨烯層進(jìn)行塑封；在二次塑封件的下表面制作下線路層，在下線路層上植錫球。本發(fā)明的三維異構(gòu)AIP芯片的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能和穩(wěn)定性良好。