具有激光開孔阻擋層的扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910841901.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110620053B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN110620053B 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L25/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡琨辰;匡自亮 申請（專利權(quán)）人 廣東芯華微電子技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州鼎賢知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉莉梅
地址 528225 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)南海軟件科技園內(nèi)佛高科技智庫中心A座科研樓A107室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種具有激光開孔阻擋層的扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，其制備方法包括以下步驟：S10、提供載板和若干芯片，采用塑封料將芯片封裝于載板的一側(cè)，然后移除載板，使芯片的正面外露于塑封料；S20、提供激光開孔阻擋層和介電層，將激光開孔阻擋層貼于芯片的正面以及將介電層貼于激光開孔阻擋層上，對介電層進行激光開孔處理以形成通孔，并移除通孔處的激光開孔阻擋層，使芯片的I/O接口外露；S30、制作種子層和再布線層，將芯片電性引出與金屬凸塊焊接。本發(fā)明通過在介電層與芯片之間貼附激光開孔阻擋層，可以避免激光開孔直接打到芯片I/O破壞芯片或者激光開孔不徹底影響電性連接的問題。