一種坩堝旋轉(zhuǎn)下降法生長(zhǎng)氟化物晶體的裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110611010.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113174628A 公開（公告）日 2021-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113174628A 申請(qǐng)公布日 2021-07-27
分類號(hào) C30B11/00（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I;C30B29/12（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王慶國(guó);錢小波;唐飛;姜大朋;蘇良碧;賈健;許艷濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海德硅凱氟光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海驍象知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙峰
地址 201802上海市嘉定區(qū)真南路4268號(hào)2幢J16043室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種坩堝旋轉(zhuǎn)下降法生長(zhǎng)氟化物晶體的裝置及方法，包括爐體，爐體內(nèi)腔裝有底部保溫屏，底部保溫屏上安裝有下圓周保溫屏和隔熱環(huán)，隔熱環(huán)上方裝有上圓周保溫屏和頂部保溫屏；坩堝支柱桿穿過爐體且固定安裝有坩堝，上腔體內(nèi)固定安裝有發(fā)熱體；爐體底部通過進(jìn)氣口與惰性氣體罐和還原性氣體罐相連接，爐體上方側(cè)表面設(shè)置有出氣口。其方法包括熱場(chǎng)安裝和裝料、抽真空并充入保護(hù)氣氛、升溫化料、晶體生長(zhǎng)和降溫退火。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，通過不斷充入惰性氣體加還原性氣體的混合氣，從而既保證在氟化物生長(zhǎng)過程中能夠有效去除原料中含氧雜質(zhì)，也能夠有效將熱場(chǎng)、原料中揮發(fā)出來的雜質(zhì)帶出爐腔，大大減少爐內(nèi)的雜質(zhì)污染物，以提高晶體質(zhì)量。