一種利用坩堝下降法生長氟化鈣單晶球罩

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120808114.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214992010U 公開（公告）日 2021-12-03
申請公布號 CN214992010U 申請公布日 2021-12-03
分類號 C30B29/12（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王慶國;姜大朋;蘇良碧;賈健 申請（專利權）人 上海德硅凱氟光電科技有限公司
代理機構 上海驍象知識產權代理有限公司 代理人 趙峰
地址 201802上海市嘉定區(qū)真南路4268號2幢J16043室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種利用坩堝下降法生長氟化鈣單晶球罩的裝置，包括坩堝，所述坩堝上方設置有坩堝蓋，所述坩堝的內腔中固定安裝有若干石墨模具，所述石墨模具為向下彎曲的球形罩體結構，每相鄰兩個石墨模具之間均留有空隙，所述坩堝內腔底部設置有凹槽。其方法包括熱場的安裝、升溫化料、晶體生長、降溫退火和晶體取出過程。本實用新型克服了現(xiàn)有技術的不足，通過在坩堝下降法石墨坩堝中放置石墨模具，實現(xiàn)氟化鈣球罩一次性成形，且能夠單爐實現(xiàn)多件球罩同步生長，加工過程簡單，原料利用率高。