一種石墨烯包覆納米銅漿料的制備工藝及封裝應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011043780.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112185623B 公開（公告）日 2022-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN112185623B 申請(qǐng)公布日 2022-06-07
分類號(hào) H01B13/00（2006.01）I;H01B1/02（2006.01）I;H01B1/04（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉康樂;劉浩;喻志剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東莞記憶存儲(chǔ)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 -
地址 523000廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)工業(yè)東路32號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種石墨烯包覆納米銅漿料的制備工藝及封裝應(yīng)用，所述制備工藝包括：石墨烯包覆納米銅顆粒的制備步驟及石墨烯包覆納米銅漿料的制備步驟。本發(fā)明制備工藝簡單，成本低廉且高效穩(wěn)定，得到的石墨烯包覆納米銅顆粒包覆致密、尺寸均勻可控，且能在較低溫度下與核層納米銅顆粒形成緊密三維的互連體系，不但可以充分提高其抗氧化能力，減少外包覆層對(duì)納米金屬顆粒導(dǎo)電性能的影響，還可以有效改善納米金屬顆粒由于高表面能可能導(dǎo)致的團(tuán)聚現(xiàn)象，由于石墨烯的高導(dǎo)熱率，還提高芯片向基板的散熱能力。